物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    鈷在矽(111)-7×7與鈷在(√3×√3)-Ag/Si(111)表面隨溫度變化之行為研究
    (2006) 郭長祐
    室溫下的鈷會與矽發生電子轉換的反應,而使得矽(111)-(7×7)的adatom從原本在掃描穿隧顯微鏡(STM)下的亮點轉而成為暗點,經由統計發現鈷所造成的電子態轉換集中在(7×7)重構中未堆疊錯誤半單位晶格的中間位置的adatom上。 我們利用可變溫的掃描穿隧顯微鏡(VT-STM),在不同的低溫下觀察鈷在矽表面的行為。經由實驗與統計,我們發現鈷在100K的溫度下不會與矽基底發生電子的轉換。再接下來的變溫實驗裡,我們成功的找出鈷在矽表面發生電子轉換的臨界溫度為126K ~ 130K之間。我們並推測,在較高溫度時鈷原子會有擴散的行為,擴散到(7×7)重構中未堆疊錯誤半單位晶格的中間位置並與adatom發生反應。 在鈷蒸鍍在(√3×√3)銀/矽(111)的系統裡,我們發現室溫下的鈷是單純且均勻的吸附在銀/矽的表面上,並沒有對銀/矽的表面產生任何的變化。我們將溫度升高至100、200、300、400及500℃後,再進行STM的觀察。觀察後發現,溫度升高至200℃之後,鈷的原子團開始發生聚集。隨著溫度的增加,鈷原子的聚集現象越明顯,而且有向√3島的邊緣聚集的趨勢,但我們仍然沒有發現鈷原子對於銀/矽的基底造成其它的影響。因此我們知道,單層的銀原子就可以有效的阻止鈷與矽產生電子的轉換。