物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    氧化釓鋅薄膜在不同鍍膜氧壓下的結構、光學與磁性
    (2015) 謝宗均; Hsieh, Tsung-Chun
    本論文以脈衝雷射蒸鍍法在c指向單晶藍寶石基板上製備150nm厚的ZnGdO薄膜,並探討薄膜鍍膜速率、薄膜的結構特性、光學性質及磁性與鍍膜氧壓的關係,其中單位面積雷射能量為2.6 J/cm2,鍍膜氧壓分別為0.3與0.08 mbar,Gd摻雜的原子比例為0~20 %,基板溫度為700℃。 ZnGdO薄膜鍍膜速率會隨著Gd比例的增加而上升,且在高氧壓(0.3 mbar)環境下製備的薄膜其鍍膜速率高於低氧壓(0.08 mbar)製備的薄膜。藉由X光光電子能譜測定的Gd摻雜比例皆略大於配方比例。X光繞射及拉曼散射光譜顯示所有薄膜皆無雜質或其他晶相產生,代表Gd成功取代Zn的位置。Gd比例增加時,c軸晶格常數先減少後增加,粒徑大小則持續下降,代表薄膜結晶品質變差。當Gd比例高於5%時,高氧壓製備的薄膜之結晶品質較低氧壓製備的薄膜差。光致螢光光譜顯示所有薄膜中都存在鋅空缺與鋅間隙,而在純氧化鋅中還有氧空缺。橢圓偏振儀測定的薄膜直接能隙隨著Gd比例的上升而增加。超導量子干涉磁量儀測定結果顯示所有純氧化鋅薄膜皆為超順磁性,氧化釓鋅薄膜皆為順磁性。在低溫下,高氧壓製備的薄膜其最大磁矩大於低氧壓製備的薄膜。