物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    氧化鏑鋅薄膜的法拉第磁光與電性
    (2021) 林韋如; Lin, Wei-Ju
    以脈衝雷射蒸鍍法在c方向藍寶石基板上製備氧化鏑鋅薄膜,並討論其結構、光學、磁光與電性特性。分析X光繞射光譜與拉曼光譜,並沒有產生其他晶相,隨摻雜濃度增加,晶粒尺寸變小,晶格常數變化不大。光致螢光光譜顯示,純氧化鋅有很強的近能隙發光,隨摻雜濃度增加,近能隙發光強度漸弱,缺陷發強度增強,主要缺陷為氧空缺、鋅空缺與鋅間隙。磁光光譜可看出,所有薄膜呈順磁性,與SQUID量測結果相同,Verdet constant大致隨波長增長而漸弱;其中缺陷所對應的發光波長,Verdet constant 與摻雜比例做圖,摻雜濃度10%響應為最強。量測電流-電壓曲線圖得知所有電極都為歐姆接觸。使用Van der Pauw法量測氧化鏑鋅薄膜的電阻率數值在0.078 mΩ·cm與277.72 mΩ·cm之間。霍爾效應檢測顯示氧化鋅為n型半導體,1%及5%的氧化鏑鋅薄膜為p型半導體,載子濃度在7.89×1018 cm-3與5.32×1022 cm-3之間,遷移率在4.3×10-4 cm2/Vs與35.13 cm2/Vs之間。