電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    K頻帶互補式金氧半功率放大器設計
    (2015) 劉家凱; Liu, Chia-Kai
    第一個電路為變壓器功率結合技術之K頻帶功率放大器,採用半圈變壓器 (Half-turn Transformer)實現功率結合與阻抗轉換以達到節省面積,量測結果在23.5 GHz時,增益為12 dB,飽和輸出功率(P_sat)為22.5 dBm,1dB增益壓縮輸出功率(OP_1dB)為18.1 dBm,最高功率輔助效率(PAE)為21.8%,晶片佈局面積為0.29 mm^2。 第二個電路為變壓器電流結合技術之K頻帶功率放大器,延續第一個設計之功率放大器,運用變壓器電流結合技術(Current Combining Transformer)來提升輸出功率,將功率放大單元直接並聯在進行匹配,而為了要提高增益,採用兩級功率放大器進行設計,量測結果在23 GHz時,增益為19.5 dB,飽和輸出功率(P_sat)為24.9 dBm,1 dB增益壓縮輸出功率(OP_1dB)為20.6 dBm,最高功率輔助效率(PAE)為17.0%,晶片佈局面積為0.97 mm^2。