學位論文
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Item Item 基於表面鈍化與添加劑工程之二維鈣鈦礦發光二極體(2025) 羅珮瑄; Lo, Pei-Hsuan本論文針對準二維鈣鈦礦材料於發光元件中的應用進行研究，聚焦於表面鈍化、結構掌性與添加劑工程三項關鍵技術，探討其對元件效率、穩定性及自旋極化發光的影響。在第一項工作中，選用RP型準二維鈣鈦礦 PEA2(FAPbBr3)2PbBr4 作為材料，透過熱退火與 TOPO 鈍化劑進行優化。結果顯示，90 °C退火60分鐘並搭配4 mg/mL TOPO處理可有效提升結晶性、抑制非輻射復合，並增加光致發光量子產率與外部量子效率，證實表面工程可改善元件性能。第二項工作是合成R-/S-NEABr掌性準二維鈣鈦礦，分析不同結構相組成與掌性光學特性。當樣品同時具有n = 2相時，激子可進行能量遷移並維持掌性訊息，產生CPL；反之，僅具n = 1結構者則雖有CD訊號但無CPL表現。元件應用上，本研究設計兩種LED架構。Type 1 LED以掌性鈣鈦礦為發光層，證實老化後之422樣品可產生CPEL。Type 2 LED則以掌性層作為CISS過濾層，搭配Super Yellow為發光層，僅於新鮮且添加[BMIm]OTf條件下觀察到明顯CPEL訊號。綜上，結構分層與介面優化對於掌性鈣鈦礦在自旋光電元件中的應用具有關鍵意義，亦展現其發展潛力。Item 利用偏振解析光譜探討低維度材料中電子-聲子與激子-聲子交互作用機制(2025) 張瑀真; Chang, Yu-ChenItem Item Item Item (Fe1-xMnx)1.01Se 中向列、贋能隙和超導性的演化和氫化FePd 薄膜的各向異性電阻率(2025) Raheel Muhammad; Raheel MuhammadItem 退火溫度對銩鐵石榴石磁異向性之影響(2025) 王偉丞; Wang, Wei-Cheng本研究利用脈衝雷射沉積法在 YAG(111) 與 GGG(111) 基板上製備 YIG 與 TmIG 薄膜，並系統性探討退火溫度對其結晶結構、磁性及磁光特性的影響。X光繞射結果顯示，所有薄膜皆沿(111)基板方向異質外延生長，並具有明顯的 (444) 繞射峰。成長於YAG基板的薄膜因高溫退火導致鋁離子進入薄膜，造成晶格收縮及壓縮應變加劇。GGG基板上的樣品則顯示出不同應力表現，YIG樣品中觀察到雙層結構對應拉伸與壓縮應力，而TmIG樣品則為壓縮應力，並隨退火溫度上升逐漸釋放，歸因於Ga³⁺與Fe³⁺半徑相近，使擴散效應微弱。高溫退火主要以應變鬆弛及缺陷修復為主，應變逐步釋放。磁性方面，隨著退火溫度升高，成長於 YAG 與 GGG 基板的 YIG 與 TmIG 薄膜，其飽和磁化量（Ms）均明顯下降，推測主因為高溫退火導致鐵離子向基板擴散，造成磁性離子缺失，進而削弱整體磁性表現。磁易軸方面，YIG/YAG 薄膜的磁易軸由垂直逐漸轉變為無明顯易軸，TmIG/YAG 與 TmIG/GGG 薄膜在各退火條件下皆無明顯磁易軸，而 YIG/GGG 薄膜則始終保持平行磁易軸。矯頑場（Hc）方面，成長於 YAG 基板之薄膜與 TmIG/GGG 薄膜皆隨退火溫度升高而增加，顯示其磁性由軟磁性逐漸轉為硬磁性，唯有 YIG/GGG 薄膜之Hc對退火溫度變化不具明顯趨勢。磁光分析顯示，所有樣品的法拉第旋轉角及磁圓二色性強度均隨退火溫度升高而下降，並觀察到對應O–Fe能階躍遷的吸收峰逐漸消失，佐證了鐵離子擴散現象。綜合而言，退火溫度為影響REIG薄膜結構與磁性的重要關鍵參數。適度退火有助於改善結晶品質及應變釋放，但過高溫度會導致結構劣化及性能下降。本研究結果有助於 REIG 薄膜磁異向性及磁光性能的進一步調控，並為其在自旋電子學與磁光元件之應用提供重要參考。Item 對二維易辛模型非平衡相變的綜合研究(2025) 李尚瑋; Li, Shang-Wei利用蒙地卡羅法以及監督式神經網路，我們研究在二維棋盤狀易辛模型的非平衡相變。非平衡相變是透過令模擬該模型時使用的Metropolis 演算法違反細緻平衡條件達成的。此篇研究所使用的神經網路模型是直接取自於過往研究曾經訓練過的模型，換句話說本次研究沒有訓練任何模型。值得注意的事情是蒙地卡羅法以及監督式神經網路獲得結果是一樣的。具體來說，取得的結果表明所研究的相變是屬於二維易辛普遍類別。此篇研究也同時詳細探討了傳統捲積神經網路模型(CNN)的性能會如何受到訓練過程以及訓練集相關的參數的影響。經過論證過，我們得到的結論為本研究所使用神經網路模型在估計臨界點比文獻中所使用的傳統CNN更有效率以及穩定。本摘要及本碩士論文是根據以下之期刊論文的內容而編寫而成的.Eur. Phys. J. Plus (2024) 139:776 https://doi.org/10.1140/epjp/s13360-024-05563-8Item