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渦旋光增強奈米矽線與二硫化鉬場效電晶體之光導電度
(2022) 馮一介; Feng, Yi Jie
光可以帶有自旋與軌道角動量，分別體現於圓偏振以及渦旋光上。軌道角動量的光在理論上擁有無限的自由度，預期可以應用於光通訊的領域。此外，光額外的軌道角動量會引發電子躍遷形式的改變，進而影響電子激發至導帶的濃度，改變光電流的大小。在這篇論文中，Silicon Nanowires以及MoS2所製成的場效應電晶體被用來感測光的軌道角動量。電性上的結果顯現，光電流隨著軌道角動量的變大而上升；該現象，可以被歸因於軌道角動量的光增強了材料對光的吸收率，使得光電流來源於光導效應(Photoconductive Effect)和光閘效應(Photogating Effect)的現象被提高。不同軌道角動量的光所引發之光電流隨著光強的變化，亦證明了該現象。透過這份研究，可以預期除了光強與頻率，未來可以把光的軌道角動量當作一個額外的自由度來去調控材料的光電流。