學位論文
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Item 石墨烯應用於深紫外光發光二極體上作為透明電流擴散層(2016) 蕭長泰; Hisao, Chang-Tai石墨烯(graphene)為一種由碳原子依六角形排列而成之二維碳材料，其具有良好之電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性，而其於波長小於280奈米之高穿透度更被看好應用於深紫外光發光二極體(GaNLED)之上作為透明電流擴散層(TCE)。然而，石墨烯和GaN（特別是p-GaN）之間的高接觸電阻率(ρc)成為利用石墨烯作為GaNLED的透明電流擴散層需要解決的重大困難。 為了降低石墨烯和GaN介面的接觸電阻率，在本實驗中，我們準備了兩種類型的緩衝層包括氧化鎳(NiO)薄膜和銦錫氧化物(ITO)量子點放置於石墨烯和GaN之間，藉以增進石墨烯和GaN之附著力，並降低其介面的蕭特基能障。本實驗乃利用低壓化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)方法製作石墨烯，p-GaN磊晶則由晶元光電所提供。其中厚度為2 nm之氧化鎳乃利用原子層化學氣相沉積法(Atomic Layer Deposition；ALD)將其沉積於石墨烯與p-GaN之間，另一緩衝層為於石墨烯與p-GaN間鍍層銦錫氧化物薄膜經蝕刻過後使之成為量子點銦錫氧化物。置入緩衝層後再以450°C氬氣環境下熱退火處理以加強結構完整性，最後利用圓形傳輸線模型(circular transmission line model；CTLM)與發光二極體元件量測其特性與電性。