學位論文

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2008 - 200912010 - 20161

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    長期置放後二硼化鎂組成及性質變化之研究
    (2008) 徐碩志
    我們的工作為研究韓國浦項大學的Sung-IK Lee 等人大約兩年前 提供的二硼化鎂（MgB2）薄膜樣品，在長時間的保存之下，樣品的 組成及性質的變化。 我們使用超導量子干涉儀在外加磁場-50000 Oe 到+50000 Oe 下 測量樣品的磁滯曲線，並且計算出臨界電流密度Jc。在溫度5K 時， 樣品的臨界電流密度約為6.4×10^6 A/cm2 ，將數據與韓國浦項大學的 Sung-IK Lee 等人發表的文獻中比較，發現在長時間放置之下，我們 測得的樣品的臨界電流密度降低了將近一個數量級。 由X光繞射儀中測得的數據發現，樣品有些微的氧化鎂（MgO）產生， 接著計算晶格常數，c 軸的長度些微縮短了。而在X 光近緣吸收光譜， 我們將同一片樣品在兩年前與最近測量的螢光產額（TFY）數據比較， 樣品上的MgO 與B2O3 的訊號都比兩年前增強了許多，且樣品的品質似乎 有些微的變差。 長時間置放後的樣品的臨界電流密度沒有因為包含雜質（MgO、B2O3）而上升，可能是由於這些雜質幾乎都在樣品的表面，這個與測量B2O3 的X 光近緣吸收光譜的電子產額（TEY）結果一致。
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    利用PLD製備含有氧化鎂鋅緩衝層的氧化釓鋅薄膜之結構、光學與磁性研究
    (2016) 曾子倫; Tseng, Tzu-Lung
    本論文以脈衝雷射蒸鍍法在c指向的單晶藍寶石基板上製備Zn1-xGdxO，改變濃度、基板溫度、雷射能量並探討鍍膜速率、薄膜結構特性、光學特性和磁性。此外，製備(Zn1-xGdxO/Zn0.9Mg0.1O)雙層膜樣品來探討不同Zn0.9Mg0.1O緩衝層的厚度對Zn1-xGdxO在薄膜結構和光學特性的影響，其中鍍膜氧氣壓力為3×10-1 mbar，Gd摻雜的原子比例為1%、3%、8%。 Zn1-xGdxO鍍膜速率會隨著Gd比例的增加而上升，也會隨著雷射能量的上升而上升。藉由X光光電子能譜測定的Gd摻雜比例皆與配方比例相當接近。X光繞射光譜及拉曼散射光譜顯示所有薄膜皆無雜質或其他晶相產生，代表Gd與Mg成功取代Zn位置。在Gd摻雜濃度變高時，薄膜的粒徑大小持續下降，代表薄膜結晶品質變差；在Mg摻雜的薄膜變薄時，薄膜的粒徑大小持續下降，因其薄膜厚度太薄使其粒徑只能與厚度接近。光致螢光顯示Zn1-xGdxO薄膜的發光都與鋅空缺和鋅間隙有關，而多了一層氧化鎂鋅緩衝層時，會讓Zn1-xGdxO薄膜的缺陷發光強度下降。超導量子干涉磁量儀測定結果顯示所有氧化釓鋅薄膜皆為順磁性。